根据 Yole Group，采用垂直晶体管（VTs）构建的 4F DRAM 单元以及 CMOS Bonded Array（CBA）技术是 DRAM 演进的两项关键创新。预计 4F单元的缩放和 CBA 技术集成将带来高达 30%的位密度提升，还能利用更先进的逻辑节点提升性能和可靠性，该方法预计在2029 年之后开始推广。最终，预计 DRAM 将在 2033-2034 年左右向 3D 架构靠拢，包括三星、SK 海力士、美光科技等在内的所有主要 IDM 都在积极研究多种架构路径，应用材料、Lam 等领先的半导体设备供应商也在开发专门的工艺解决方案以应对 3D DRAM 的制造挑战。
