> 数据图表想关注一下2022-2026 年 DRAM 价格指数与 SK 海力士和美光科技 PB 的关系2026-7-5从长期底层逻辑看，推理成本下降将刺激 C 端和 B 端用户大规模使用大模型，整体 AI 调用量增速远超单 Token 硬件节约幅度，最终带动 GPU、HBM、DRAM 及高速网络设备总需求持续扩张，正如蒸汽机效率提升后煤炭消耗不降反增。更具说服力的是，K3 发布 48 小时后即因算力不足而暂停新用户订阅，一款开源模型的发布以算力熔断收场，恰恰从反面坐实了算力需求远未到顶。 第三条线索是存储 Q3 价格预期带来的周期下行拐点恐慌。TrendForce 集邦咨询于 2026 年 7 月 3 日发布最新存储器价格调查，指出 2026 年第三季度整体 DRAM 格局持续极度紧缺，但因消费级应用需求下修及高基数效应，合约价涨幅收敛至季增 13%至 18%，NAND Flash 合约价预计季增 10%至 15%，幅度较前几季明显缩减。 Q3 涨幅较 Q1 和 Q2 大幅收窄，被部分投资者解读为存储超级周期的拐点信号：价格涨幅的环比走弱意味着供需紧张格局正在缓解，存储板块的盈利高增预期面临下修风险，进而拖累整个硬科技板块的估值。 我们认同涨幅的环比走弱对存储板块估值进一步扩张起到压制作用，但 Q3涨幅走弱并非近期突发下修，而是自年初就一贯存在的预期路径。回溯TrendForce 对本轮存储周期的预测调整轨迹，可以清晰看到一条从 Q1 爆发式上涨到 Q2 延续高位再到 Q3 高基数下自然收敛的递减曲线，其斜率在年初即已锚定。2026 年 3 月底，TrendForce 一次性大幅上修了 Q1 与 Q2 的价格预期，Q1 通用型 DRAM 合约价涨幅由原预测 55%至 60%上调至 93%至98%，NAND 涨幅由 33%至 38%上调至 55%至 60%，Q2 通用型 DRAM 涨幅由原预测 10%至 15%上调至 58%至 63%，NAND 涨幅由 18%至 23%上调至 70%至 75%。正是在这一轮上修中，TrendForce 同步给出了 Q2 之后涨幅将因高基数效应而逐步收敛的指引，即 Q3 涨幅回落至较低区间本就是 Q1 至 Q2爆发式上涨这一路径的自然延伸，而非新增的负面信息。浦银国际综合其他
