> 数据图表如何了解申万电子细分板块 6 月 30 日以来整体2026-7-5反弹初期的第三条主线，是把视野从 A 股本土标的向外延伸至美股与韩股的存储芯片龙头。其逻辑并不与前述两条主线冲突，而是共享同一套“景气持续、估值已充分回调”的判定。本轮回调中，美光、SK 海力士、三星电子的回撤幅度并不亚于 A 股硬件链。压制这些龙头估值的核心变量，并非景气逆转，而是“价格同比仍为正、但环比动能显著衰减”带来的边际定价下修。TrendForce 最新调查显示，通用 DRAM 合约价环比涨幅由 2026 年一季度的 90%至 95%、二季度的 58%至 63%，回落至三季度预计的 13%至 18%，NAND 合约价由前期高位同步放缓至 10%至 15%，涨价基数抬升后环比斜率趋平已成市场共识。然而环比放缓不等于景气反转AI 与 HBM 的结构性紧缺仍在延续，今年三季度 DRAM 与 NAND 合约价依旧同向上涨，且我们在上文已论证的“LTA 逻辑未破”前提依然成立。当景气持续、LTA 未破，而“环比涨幅弱化压制估值”这一因素已随近期大幅回调被市场 price in，当前估值应反映的是 “AI 基础设施资产”的重新定价，而非“周期峰值资产”的重新定价，这对美股韩股存储龙头构成可见的估值底支撑，使其与 PCB、被动元件共同成为反弹初期兼具安全边际与产业趋势的战术配置方向。浦银国际综合其他
