> 数据图表一起讨论下全球存储原厂 DRAM 年度比特出货量 全球存储原厂 DRAM 年度晶圆投片量2026-8-1洁净区以及华城、平泽 P3 存量产线工艺升级共同支撑。需要指出的是，平泽P4 厂区 PH1、PH3 以生产通用型 1c DRAM 为主，而 HBM 所需晶圆仅来自 PH2、PH4 两条专属洁净区。我们认为，三星电子 2026 年 DRAM 增量主要来自 1c 制程的新产能。根据 ETNews 资料，公司规划 1c DRAM 产能分阶段上量，2Q26 提升至 8 万片每月，2026 年末进一步攀升至 20 万片每月。2026 年 1c DRAM 合计新增 14 万片每月产能，除 PH4 在 4Q26 逐步兑现的 45 万片每月 HBM 配套晶圆外，其余增量主要由 PH1、PH3 全年持续爬坡以及存量老厂制程升级贡献。P5 超级厂房或是 2028 年之后贡献先进制程产能增量的主要来源，厂房采用三星新一代TripleFab 三层立体洁净室架构，于2Q26 正式开工，规划6 座洁净室，全厂混合总设计产能 2030 万片月，可柔性调配 1c1d 制程高端通用 DRAM 与HBM 产能。平泽 P5 预计在 2028 年末启动小规模试产，自 2029 年起大规模贡献 HBM 及先进 DRAM 新增供给。综合来看，我们预计三星 DRAM 整体月产能将从 2025 年末的 70 万片增至 20262728 年底的 839199 万片。SK 海力士：截至 2025 年末，SK 海力士整体 DRAM 月产能约 50 万片。未来产能扩张依托清州 M15X 新建产线、龙仁超级晶圆厂双线落地，同时持续推进存量产线制程升级与稼动优化。M15X 厂区以生产 HBM 配套先进 DRAM 为主，2026 年持续爬坡贡献增量龙仁厂区首座洁净区 1Q27 投产，产线具备柔性调配能力，可灵活分配高端通用 DRAM 与 HBM 所需晶圆。M15X、龙仁产出的先进制程 DRAM 晶圆将分流至两部分，一部分用于堆叠制备 HBM，另一部分供给高端服务器 DDR5。考虑新建产线投放节奏、老旧利基 DRAM 产能有序收缩、通用 DRAM 与 HBM 之间持续进行晶圆结构腾挪，我们测算 SK 海力士 DRAM 整体月产能将从 2025 年末的 50 万片增至 20262728 年底的 57.565.574 万片。美光科技：持续调配部分通用DRAM 晶圆转向HBM 生产， 2027 年扩产或加速。截至 2025 年末，我们测算美光整体 12 英寸 DRAM 月产能为 35 万片。2026 年以存量产线稼动微调为主。铜锣厂区一期预计 2H27 小规模投产，产线具备柔性调配能力，可灵活分配高端通用 DRAM 与 HBM 配套晶圆铜锣二期以及广岛厂区新增产能预计 2029 年才逐步释放。与 SK 海力士类似，铜锣、广岛产出的先进制程 DRAM 晶圆也可调配，一部分筛选后用于堆叠制备 HBM 产品，另一部分供给服务器 DDR 产品，产能分配将随 AI 需求动态调整。我们测算美光 DRAM整体月产能将从 2025 年末的 35 万片增至 20262728 年底的 364046 万片。长鑫科技：作为中国内地唯一实现 DRAM 规模化量产的 IDM 厂商，长鑫科技已经成长为全球第四大 DRAM 供应商。根据长鑫招股书，按 4Q25 销售额口径，公司全球DRAM 市场份额达到7.67%。公司现阶段以通用DRAM 产能扩张为主，HBM 尚处于样品验证与小批量试产阶段，依托合肥、北京成熟厂区持续产能爬坡，叠加上海临港新建晶圆厂打开中长期供给空间。截至 4Q24，我们预测长鑫整体 12 英寸 DRAM 月产能约 10 万片产能持续快速释放，2025 年末整体月产能接近 30 万片。2026 年产能以现有厂区持续良率优化、稼动提升为主，我们预计新增 5 万片月产能。2027 年起迎来新一轮产能投放，上海临港厂区逐步爬坡，2027、2028 年每年有望新增 7-8 万片月产能同步推进工艺迭代升级，新增产能优先供给 DDR5、LPDDR5X 等高端通用 DRAM，并预留部分资源支撑后续 HBM 配套晶圆研发。我们预计长鑫 DRAM 整体月产能将从 2025 年末的 30万片增至 20262728 年底的 354250 万片。交银国际证券综合其他
