> 数据图表想问下各位网友长鑫科技工艺技术2026-8-3公司通过自主研发与技术迭代，已建立国际先进的 DRAM 核心技术体系。公司坚持自主研发，并通过跳代研发加速技术创新，快速完成了从第一代到第四代工艺平台的量产，以及 DDR4、LPDDR4X 到 DDR5、LPDDR55X 的产品迭代和覆盖，核心产品与工艺技术已达到国际先进水平。经过多年发展，公司在 DRAM 设计、制造工艺、封装测试及模组应用等环节构建了完善的核心技术体系，形成了全面的自主知识产权，并在技术迭代与产业化方面积累了丰富经验。截至 2025 年 6 月 30 日，公司拥有境内专利 3,116 项（其中发明专利 2,348 项）及境外专利 2,473 项。根据世界知识产权组织统计，2023 年公司国际专利申请公开数量全球排名第 22 位美国专利服务机构 IFI 数据显示，2024 年公司美国专利授权全球排名第 42 位，在中国企业中位列第四。长鑫存储已构建起较为完整的 DRAM 工艺技术平台，完成了从 G1 至 G4 多代制程的持续演进。在技术层面，公司早期采用约 23.8nm 级工艺实现 G1 代产品量产，随后推进至约 18nm 级的 G3 工艺，并成功导入约 16nm 级特征尺寸的 G4 DRAM 工艺，制程水平已进入全球 DRAM 行业的主流技术区间。华创证券科技传媒
