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想问下各位网友相较 MR-MUF,混合键合可实现厚度增加 24%的核心

2026-9-3
想问下各位网友相较 MR-MUF,混合键合可实现厚度增加 24%的核心
SK 海力士已将先进 MR-MUF 技术应用于 16 层 HBM3E,并进一步导入翘曲控制、细间距互连与窄间隙填充等技术,同时转向混合键合技术解决功耗与散热负担问题。相较 MR-MUF,混合键合可实现厚度增加 24%的核心晶粒(Core Die),TSV 间距可缩小至 18m 以下,同时在堆叠层数增加的情况下,热阻可降低约 35%。