> 数据图表如何解释2024-2027 年 HBM 在 DRAM 产业位元出货量2026-9-2柏诚股份601133 量反弹。AI 算力需求强劲首要面对的问题是内存不足的挑战，传统内存的数据传输速度已无法满足万亿参数模型的海量处理需求。高带宽存储（HBM）通过 3D 堆叠多个 DRAM 芯片（通常为 8 或者 12 层），利用硅通孔技术实现了数据传输速度的倍增，提供普通图形内存的 5-10 倍带宽。因此用于先进逻辑芯片的外延晶圆和用于 HBM 的抛光晶圆需求强劲，直接推动硅晶圆出货量恢复增长。2025 年晶圆出货量拐点确立，2023-2024 年全球晶圆出货量连续下降。2025 年全球晶圆出货量为 12973 百万平方英寸，同比6.62%。根据 Semi，预计到 2028 年全球晶圆出货量将达到 15485 百万平方英寸，2026-2028 年出货量 CAGR 为 7.13%。 HBM 供给紧缺，容量吞噬、结构性消耗造成 DRAM 晶圆产能结构性缺口，存储厂商扩产刚需是本轮洁净室需求核心动力。根据 TrendForce 统计，2025年用于生产 HBM 晶圆片占全部 DRAM 晶圆片数的 30%，而 HBM 位元供给占比（产出总存储容量占比）仅为 13%，美光官网显示 HBM 晶圆产能消耗量达到标准 DDR5 的 3-4 倍。因此 HBM 结构性产能消耗挤占了通用DRAM 的晶圆产能，导致 DRAM 等产品供应缺口扩大，本轮存储芯片扩产刚需显现。国泰海通综合其他
