> 数据图表如何了解无助焊剂 TCB 工艺流程2026-9-3我们认为，HBM 是 TCB 设备最具确定性的增量来源之一，HBM 产能扩张和堆叠层数提升共同驱动 TCB 设备需求的增长。短期内，由于 JEDEC放宽了 HBM 的高度标准，热压键合设备仍是各存储厂商 HBM 制造的主流键合设备。2025 年，JEDEC 协会放宽了 HBM4 在高度方面的要求，即最高720 微米的限制，将 12 层及 16 层垂直堆叠的 HBM4 高度放宽至 775 微米，以便存储厂商在现有键合技术中实现 16 层堆叠，无需转向新的混合键合技术。据 Trend Force，随着 HBM 的迭代及性能要求的提升，JEDEC 考虑再次放宽 HBM 的高度限制，可能提高至 900 微米。这是为了缓解存储器制造商的生产瓶颈，支持下一代 HBM 产品更快地进入大规模生产，不但能降低成本，也提升了良品率。此外，HBM 的后续产品正在向 20 层 DRAM 升级，堆叠层数提升叠加 HBM 的强劲需求，将在短期内持续拉动 TCB 设备的需求。国泰海通综合其他
