> 数据图表咨询大家随着 pitch 的缩小，必须采用混合键合设备2026-9-3我们认为，HBM 是 TCB 设备最具确定性的增量来源之一，HBM 产能扩张和堆叠层数提升共同驱动 TCB 设备需求的增长。短期内，由于 JEDEC放宽了 HBM 的高度标准，热压键合设备仍是各存储厂商 HBM 制造的主流键合设备。2025 年，JEDEC 协会放宽了 HBM4 在高度方面的要求，即最高720 微米的限制，将 12 层及 16 层垂直堆叠的 HBM4 高度放宽至 775 微米，以便存储厂商在现有键合技术中实现 16 层堆叠，无需转向新的混合键合技术。据 Trend Force，随着 HBM 的迭代及性能要求的提升，JEDEC 考虑再次放宽 HBM 的高度限制，可能提高至 900 微米。这是为了缓解存储器制造商的生产瓶颈，支持下一代 HBM 产品更快地进入大规模生产，不但能降低成本，也提升了良品率。此外，HBM 的后续产品正在向 20 层 DRAM 升级，堆叠层数提升叠加 HBM 的强劲需求，将在短期内持续拉动 TCB 设备的需求。 竞争格局方面，TCB 键合设备市场目前主要有韩国的韩美半导体、SEMES、韩华 SemiTech，日本的东丽 Toray、新川 Shinkawa，以及新加坡 ASMPT 等主要厂商。目前韩美半导体在 HBM TCB 键合机市场上拥有最高的市场占有率。 ASMPT 目前优势在先进逻辑客户。26H1，ASMPT 营收中先进封装占比已达 30%，25 年全年 TCB 业务营收同比增长 146%。未来 ASMPT 将继续受益于先进逻辑HBM 需求的增长，公司远期目标在整个 TCB 市场占据 35%-40%的市场份额。 逻辑领域，ASMPT 的 TCB 设备占据 C2S 主导地位，OSAT 订单持续增加，26 年 7 月新增 OSAT 厂的 50台 C2S TCB 订单在 C2W 方面，ASMPT 凭借等离子体 AOR 技术的超细间距 TCB 设备，在 26Q1 拿到先进逻辑客户的设备订单存储领域，ASMPT 针对 HBM4-12Hi 的 TCB 解决方案获得多家客户订单，在 HBM4-16Hi 技术开发方面，用于 16Hi 的有助焊剂 TCB 设备进入样品测试阶段，Fluxless-TCB 也进入认证阶段。 3.3. 混合键合是未来长期发展方向 混合键合（HB, Hybrid Bonding）可以实现超高密度的垂直互连。混合键合是一种先进的半导体封装技术，可实现芯片间铜-铜和氧化物-氧化物的直接连接，无需微凸块（Micro-bump）的辅助结构，从而实现电路的互联。这种方法显著提高了互连密度、电气性能和优异的热效率，使其成为下一代半导体器件制造的关键技术。国泰海通综合其他
