> 数据图表如何才能3.1制程微缩：在“二维平面”上塞进更多器件-缩小关键尺寸2026-9-03.1制程微缩：在“二维平面”上塞进更多器件-缩小关键尺寸锆、铪是芯片High-k首选材料。更高的介电常数可以降低栅漏电流密度；宽禁带可以提高材料与硅衬底交界面形成的势垒高度，阻挡隧穿；合适的结晶温度，以保持非晶态，防止晶界会成为漏电流通道和缺陷聚集地；当将锆（Zr）以约 1:1 的比例掺氧化铪中，晶体会在低温降温过程中稳定在特定的正交相，从而展现出强烈的铁电性。图表27：铪是高介电常数和宽禁带宽度的首选材料珍惜有限 创造无限资料来源：天天IC，五矿证券研究所20五矿证券能源矿产
