> 数据图表咨询大家珍惜有限 创造无限2026-9-0珍惜有限 创造无限3.2 3D堆叠：向“垂直方向”借空间3D堆叠解决计算“内存墙”瓶颈。摩尔定律驱动下，近二十年来计算能力增长了约 90000 倍，而内存带宽仅增长约 30 倍——两者相差约三个数量级。性能提升的路径从“变小”切换到“叠高”，3D堆叠将计算核心与内存垂直靠近，物理距离缩短，带宽飙升（如HBM3E带宽已超1TB/s）。TSV 三维电学互连是HBM核心控制点。TSV（Through Silicon Via）在 DRAM 芯片上打出数千个微米级硅通孔，依托高密度堆叠与先进散热封装，实现上下层芯片的高密度直接信号传输。TSV工艺技术包括深硅刻蚀形成微孔，再进行绝缘层、阻挡层、种子层的沉积，深孔填充，退火，CMP 减薄，Pad 的制备叠加等工艺技术。图表28：HBM 芯片纵向 TSV 堆叠结构图表29：HBM生产工艺资料来源：Accelerating time series motif discovery in the Intel Xeon Phi KNL processor，五矿证券研究所资料来源：海力士，五矿证券研究所21五矿证券能源矿产
