> 数据图表请问一下珍惜有限 创造无限
2026-9-0珍惜有限 创造无限3.2 3D堆叠：向“垂直方向”借空间钽、钛、铜在TSV工艺中起到关键角色： 深盲孔刻蚀。通过 SF₆ 刻蚀与 C₄F₈ 钝化膜交替进行的 Bosch 工艺，在硅衬底上刻蚀出深宽比达 10:1 至 20:1 的垂直盲孔 绝缘层/阻挡层沉积。在Cu 和半导体本体之间需要沉积一层阻挡层，既能阻挡Cu 向SiO2中扩散，也能提高Cu 在SiO2表面的黏附强度。通常的阻挡层材料包括Ta、TaN/Ta、TiN 等金属或金属化合物。 电镀铜填充。在阻挡层之后还会再生长一层Cu种子层，用于后续电镀填充工序中导电作用；和提供Cu晶核，以获得更均匀的结晶。图表30：硅通孔微观结构资料来源：倍特盛，五矿证券研究所22 
