> 数据图表如何了解珍惜有限 创造无限2026-9-0珍惜有限 创造无限3.2 3D堆叠：向“垂直方向”借空间HBM中的钨。钨能通过CVD配合WF6在纳米级深孔中覆盖率高，且热膨胀系数与硅相近，所以在半导体中主要用于晶体管与互联层的连接、先进DRAM的字线、大容量3D NAND字线（300层以下）等。 接触插塞：填充晶体管源极/漏极与第一层金属布线之间的微型接触孔 位线与埋入式字线：先进 DRAM 存储单元中，常作为埋入式字线和位线导电层，以及连接电容器的接点钼代钨主要发生在更细场景。钼电子自由程短，在超薄尺寸下的电阻率显著低于钨，引入钼替代部分极细钨：1）随着逻辑芯片制程推进至 3nm 及以下，接触孔尺寸缩小；2）300层以上3D NAND字线的物理厚度被进一步压缩至 10~15 纳米以下图表31：埋入式字线（BWL）DRAM内存图表32：3D NAND结构图/钨钼需求测算资料来源： 《3D IC devices, technologies, and manufacturing》Hong Xiao，五矿证券研究所资料来源：半导体材料与工艺，五矿证券研究所23五矿证券能源矿产
