> 数据图表谁能回答化学品贯穿半导体制造全流程，主要使用七类电子化学品2026-9-1化学品贯穿半导体制造全流程，主要使用七类电子化学品◆ 半导体制造中主要使用七类电子化学品：从晶圆清洗、表面预处理及湿法刻蚀所需的湿电子化学品，到完成涂胶、曝光、显影与图形转移的光刻胶及配套材料；再到用于干法刻蚀、腔体清洗和离子注入的电子特气，以及CVD/ALD薄膜沉积所需的前驱体材料；其后由CMP材料实现多层结构平坦化，电镀液形成铜互连、TSV与RDL等导电结构，最终通过先进封装材料完成芯片—芯片及芯片—基板的高密度互连。图：七类电子化学品及对应工艺环节材料类别半导体生产工艺环节作用典型材料湿电子化学品晶圆清洗、表面预处理、湿法刻蚀、光刻后去胶、CMP后清洗去除颗粒、金属离子、有机残留和刻蚀残留；刻蚀材料双氧水、HF、H₃PO₄、TMAH、NMP、PGMEA光刻胶及配套涂胶、曝光、显影、抗反射控制、图形转移、去胶/剥离光刻胶在晶圆上形成可曝光的临时图形；显影液显出图形；去胶材料在刻蚀或注入后去除残胶i-line/g-line、KrF、ArF dry/immersion、EUV光刻胶CMP 材料STI、ILD/IMD、铜互连、新金属互连、3D NAND、TSV/RDL去除多余材料，获得平坦晶圆表面，降低缺陷并保证后续光刻、沉积和互连层加工抛光液、抛光垫电子特气干法刻蚀、腔体清洗、CVD/ALD 沉积、掺杂、离子注入反应气、刻蚀气、清洗气、沉积气、掺杂气 NF3、HBr、WF6、PH3前驱体和沉积材料CVD、ALD、PECVD、FCVD；用于 high-k结构等薄膜形成向晶圆表面提供硅、金属、介质等元素来源，形成薄膜TEOS、BTBAS、TSA、TMA、Hf/Zr/Ta/Ru/Co/Mo/W 系前驱体电镀和剥离电镀用于前道铜互连、UBM、铜柱、焊料凸点、TSV 填充、RDL电镀用于形成铜互连、RDL、TSV 等导电结构；铜电镀液、镍电镀液、锡银电镀液先进封装材料晶圆级封装、2.5D/3D、HBM、TSV、RDL、凸点、底填、塑封芯片到基板、芯片到芯片、芯片到封装的高密度互连PI/PBO、干膜、RDL 介质、封装介质、临时键合/解键合材料。数据来源：华经产业研究院，智研咨询，集成电路材料联盟，东吴证券研究所6东吴证券综合其他
