> 数据图表请问一下先进制程提升材料使用强度，光刻胶/CMP与电子特气弹性突出2026-9-1先进制程提升材料使用强度，光刻胶/CMP与电子特气弹性突出◆ ≤7nm先进制程扩产快于行业整体，成为晶圆制造新增需求的重要来源。 SEMI预计，全球300mm晶圆制造产能2024-2028年CAGR约7%，2028年达到1110万片/月；其中≤7nm产能由2024年的85万片/月增至2028年的140万片/月，CAGR约14%，增速约为行业整体的2倍。◆ 制程微缩同步增加工艺步骤，单位晶圆化学品使用强度持续提升。先进逻辑需要更多光刻、沉积、刻蚀、清洗及CMP步骤，SEMI指出，先进器件正在提升生产一片晶圆所需要投入/消耗的材料强度。◆ 光刻胶、CMP与电子特气兼具工艺用量增加和产品结构升级，价值量弹性相对突出。先进制程对光刻胶分辨率、缺陷控制和配方稳定性的要求持续提高，推动高端产品占比提升，SEMI预计，2028年先进光刻胶收入占比将达84%；CMP则受益于平坦化次数增加及膜层体系复杂化，抛光液配方和单位用量同步提升；电子特气则受益于刻蚀、沉积和清洗步骤增加，单片晶圆气体消耗和高端品种占比均有望提升。图：2024-2028年<=7nm与 >7nm制程节点的产能同比 图：≤7nm相较12/16nm的半导体化学品单片价值量变化20%18%16%14%12%10%8%6%4%2%0%<=7nm同比>=7nm同比18%15%9%8%7%6%9%6%14%7%20242025E2026E2027E2028E化学品类别2026E ≤7nm vs 12/16nm单片价值量弹性总需求弹性 主要变化价值量提升原因光刻胶约2–5倍最高CMP材料约1.5–4倍电子特气约1.2–3倍高高前驱体约2–5倍中等湿电子化学品约10%–80%提升 中等高端ArF/EUV材料占比提升先进制程对分辨率、缺陷控制及配方稳定性要求提高；EUV导入进一步提升高端光刻材料价值量CMP次数及材料品种增加14nm→7nm CMP约20→30次，同时金属、介质等不同材料对抛光液选择性及缺陷控制要求提高刻蚀、沉积等工序增加高深宽比刻蚀、薄膜沉积等步骤增加，对高纯度、低残留及高选择性特气需求提升ALD/CVD应用增加，新材料导入High-k、金属栅及先进互连增加原子层沉积需求，高价值金属及High-k前驱体占比提升清洗次数增加、纯度升级清洗、去胶、显影及刻蚀后清洁步骤增加，对颗粒、金属离子和杂质控制要求进一步提高数据来源：SEMI，东吴证券研究所8东吴证券综合其他
