> 数据图表咨询大家光刻胶：ArF/ArFi价值量高，高端光刻胶国产替代仍处早期2026-9-1光刻胶：ArF/ArFi价值量高，高端光刻胶国产替代仍处早期◆ ArF/ArFi贡献主要价值量，EUV增量弹性最大。半导体光刻胶主要分为g/i线、KrF、ArF/ArFi及EUV，g/i线用于成熟制程，KrF覆盖成熟及部分先进节点，ArF/EUV主要面向先进制程。SEMI预计2026年全球晶圆制造用光刻胶市场约32亿美元，ArF/ArFi市场体量最大。随着先进逻辑加快导入EUV，EUV光刻胶受曝光层数增加及渗透率提升双重驱动，增量弹性最高。SEMI预计，2028年先进光刻胶占全球市场收入升至84%。◆ 高端光刻胶壁垒高，日系厂商仍主导市场。高端光刻胶技术核心在于树脂与光酸等原料、缺陷及杂质控制、批次稳定性和客户验证；EUV进一步受灵敏度、分辨率及随机缺陷约束，我们预计2025年东京应化、JSR、信越化学、富士胶片、住友化学等日本企业占据全球光刻胶约70%-80%的市场份额，高端ArF/EUV集中度更高。◆ 国产替代由KrF向ArF推进，EUV仍待突破。我们预计2025年我国g/i线光刻胶国产化率20%-25%，KrF光刻胶整体国产化率约3%，ArF光刻胶整体国产化率不足1%，EUV尚未形成规模供应。2026年，彤程新材、南大光电、晶瑞电材等已推进KrF/ArF验证与放量，竞争重点正由产品突破转向客户验证、批量供货及核心原料自主化。图：半导体光刻胶分类、用途、典型光刻次数图：全球光刻胶主要玩家主要品类 核心波长 对应制程节点 主要用途典型光刻次数（层）企业国家DuPont 美国光刻胶主要玩家涵盖i/g线、ArF、KrF光刻胶g线光刻胶 436nm≥0.5μm6寸晶圆3-25i线光刻胶 365nm 0.35-0.5μm6寸晶圆、8寸晶圆6寸晶圆：3-258寸晶圆：15-40+248nm 0.18-0.35μm 8寸晶圆 约15-40+193nm7-28nm 12寸晶圆 约 30-100+半导体光刻胶KrF线光刻胶ArF线光刻胶EUV线光刻胶Merck德国全球TFT正性光刻胶主要供应商，并持续推进下一代EUV光刻材料研发JSR日本2025年，JSR光刻胶覆盖g/i线、KrF、ArF及EUV，并通过Inpria布局金属氧化物EUV光刻胶东京应化 日本2024年g/i线、KrF、EUV全球出货量占比分别为22.7%、32.4%、28.0%，g/i线及KrF均居全球第一南大光电 中国2025年新增3款ArF光刻胶通过客户验证并取得订单，总收入突破0.2亿元；截至2026年4月累计6款产品通过客户验证2025年ArF光刻胶收入同比增长超800%，多款ArF干式及ArFi产品在多种客户生产线实现已稳定供货2025年已形成g/i线、KrF、ArF全系列测试能力；i线规模供货、多款KrF量产，ArF已取得客户并订单持续推进验证13.5nm≤7nm12寸晶圆 约 30-100+彤程新材 中国需求计算晶圆片数 × 单片光刻层数 × 单层耗胶量 × 单价晶瑞电材 中国数据来源：深企投，华天科技，华经产业研究院，Wiki百科，ASML，东吴证券研究所14东吴证券综合其他
