> 数据图表怎样理解CMP材料：成熟制程国产化率已过半，先进制程仍待突破2026-9-1CMP材料：成熟制程国产化率已过半，先进制程仍待突破◆ 传统铜/介电抛光贡献主要需求，新材料抛光液增量弹性更高。CMP抛光液主要包括铜及阻挡层、钨、介电材料、氧化铈及硅衬底抛光液，SEMI预计2026年全球CMP抛光液及抛光垫市场约39亿美元。随着先进逻辑向GAA演进、3D NAND层数提升，CMP步骤及材料体系增加，钨、氧化铈以及Co/Mo/Ru等新型金属抛光液对先进制程升级更敏感，增量弹性高于传统品类。◆ 配方与研磨粒子构成核心壁垒，海外厂商仍占主导。 CMP抛光液需同时控制去除速率、选择比、缺陷及稳定性，不同材料和制程对应不同配方，客户验证周期较长。全球市场主要由Entegris、Fujimi、Resonac、Merck等海外厂商占据，头部厂商在先进制程及关键研磨粒子领域优势仍较明显。◆ 2025年28nm及以上成熟制程国产化率已过半，先进制程仍是主要突破方向。2025年按收入计，国内厂商CMP抛光液市场份额约34%，2025年28nm及以上成熟制程国产化率已超过50%；安集科技已覆盖铜、钨、介电及氧化铈等主要品类，2025年按收入计，CMP抛光液全球份额约13%，鼎龙股份亦实现多类抛光液批量供应，先进制程和核心研磨粒子仍是后续突破重点。图：全球抛光液主要玩家产品情况图：CMP抛光液分类CMP种类具体工艺主要应用公司Cu及Cu阻挡层 W ILDSTIPoly-Si铜及铜阻挡层LOGIC、3D NAND、DRAM金属薄膜钨及钨阻挡层3D NAND、DRAM、LOGIC铝METAL GATE硅薄膜晶圆表面硅片初加工等氧化硅薄膜层间介质层(ILD0)LOGIC、3D NAND、DRAM浅沟槽隔离层(STI)LOGIC、3D NAND、DRAMCabotMicroelectronics日立化学安集科技鼎龙股份上海新阳√√√√√√√√√√√√√√数据来源：Novacam Technologies，中国半导体行业协会，观研天下，东吴证券研究所√√√15东吴证券综合其他
