> 数据图表各位网友请教一下六氟丁二烯：先进逻辑与存储决定C4F6增长斜率2026-9-1六氟丁二烯：先进逻辑与存储决定C4F6增长斜率◆ C4F6需求主要来自半导体介质刻蚀，其中先进逻辑、DRAM/HBM和3D NAND贡献主要增量。2023年半导体领域约占电子级C4F6份额的82%（按销售额计），显示面板、光伏等领域合计占比较低；在半导体内部，逻辑IC和DRAM分别占总份额的55%和22%。晶圆投片量增长提供需求基础，制程微缩和存储堆叠层数增加则提高刻蚀步骤数量。◆ 高难度介质刻蚀步骤及单片晶圆C4F6消耗量增加。存储景气回升对C4F6需求的拉动将明显高于传统成熟制程，先进逻辑需要在SiO2、SiN及Low-k材料中形成尺寸更小、侧壁更垂直的接触孔；DRAM和HBM需要完成更深的电容孔及互连结构刻蚀；3D NAND堆叠层数增加，则同时拉长刻蚀深度并提高轮廓一致性要求，这些变化都会增加高难度介质刻蚀步骤。表：六氟丁二烯的核心应用领域图：2023年全球电子级六氟丁二烯下游消费结构应用领域刻蚀材料核心要求C4F6主要作用（按销售额计）先进逻辑SiO2、SiN、CD控制、选择比、介质刻蚀与侧壁Low-k侧壁垂直度钝化DRAM/HBMSiO2、SiN等介质深度均匀性、掩膜控制孔形和横向层选择比刻蚀3D NAND多层介质结构高深宽比、刻蚀速率和轮廓一致性提高介质刻蚀选择性和形貌控制其他精细刻蚀 不同介质及硬掩膜 工艺窗口稳定与其他气体配合调节F/C比例数据来源：SK hynix，东吴证券研究所测算外圈的意思是半导体占据的82%份额中，逻辑IC和DRAM贡献了55%和22%47东吴证券综合其他
