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各位网友请教一下SiCMOSTFET与IGBT关键参数对比

2026-8-1
各位网友请教一下SiCMOSTFET与IGBT关键参数对比
可达 200-250,适配 AIDC 长时间高负载运行高热导率进一步缓解机柜散热压力,解决高算力场景散热约束难题,是 800V 电源模块的最优器件选型。