> 数据图表想问下各位网友碳化硅零部件工艺路线对比2026-9-4工艺路线决定纯度与耐温天花板，非渗硅及 CVD 路线为高端必选。碳化硅零部件按制备工艺分为反应烧结（渗硅）、重结晶、无压烧结与 CVD 四条路线，纯度与耐温上限依次提升（见下表）。其中反应烧结因残留 6%15%游离硅，使用温度上限仅约 1,380CVD 路线纯度最高，CoorsTek 的 PureSiC 达 99.9995%以上。氧化扩散工艺的高温洁净要求，决定了高端环节必须采用非渗硅或 CVD 路线。华创证券科技传媒
