> 数据图表想关注一下水平供电 LPD 与垂直供电 VPD 对比2026-9-0芯片电感产业链上游厂商提供合金软磁粉末、磁芯等核心材料中游通过冷压、热压或一体成型等工艺制成电感VRM 厂商再将电感与 DrMOS、控制器及 MLCC等集成为多相供电系统，最终为 AI 芯片提供低压、大电流、高动态的核心供电。当前供电架构正由 LPD 向 VPD 升级。LPD 中，VRM、电感与芯片位于 PCB 同一平面，电流经较长路径横向传输至芯片，方案成熟且通常采用 2-3 元颗的分立式电感，但在 AI 芯片大电流场景下面临损耗、压降及纹波上升的问题。VPD 将 VRM与模组式电感进一步靠近芯片或置于芯片背面，缩短供电路径、降低寄生参数并提升瞬态响应，需在极低高度内同时满足更高电流密度、更低 DCR寄生参数和更严苛散热要求，通常还要采用定制化耦合磁件或集成模块，因此单件价值量往往高于 LPD。通常对应单价约 5-6 元颗的模组式电感。TLVR 则是在多相供电中采用耦合电感的升级方案，可与 LPD 或 VPD 结合，在稳态控制纹波和损耗、在负载突变时加快电流响应，进一步适配 AI 芯片低压大电流供电需求。TLVR 批量产品单价约 6-8 元颗，复杂方案可达 6-14 元颗，推动产业链价值由传统分立式电感向高端模组及耦合磁件环节集中。开源证券综合其他
