> 数据图表

想问下各位网友单晶与多晶金刚石微观结构对比

2026-9-3
想问下各位网友单晶与多晶金刚石微观结构对比
多晶金刚石可实现更大尺寸制备,是目前商业化最优的纯金刚石方案。多晶金刚石由大量微小晶粒聚合而成,各晶粒结构与单晶金刚石相近,但排列无序、取向各异,通过不饱和键结合,存在显著晶界,整体结构均匀性较差、缺陷密度相对较高。相比单晶金刚石,CVD 法生长多晶金刚石对晶体取向和结构均匀性要求较低,无需晶种引导统一生长方向,可在基底上随机成核并生长形成多个晶粒由于无需严格控制单一晶体取向,生长条件相对宽松,更易实现大面积、快速生长,成本亦相对较低。目前国内已实现 4-8 英寸量产,12 英寸处于研发阶段,大面积沉积工艺较为成熟,规模化制备能力持续提升。大尺寸良率及切割、研磨、抛光等后加工仍是多晶金刚石热沉片规模化制备中的主要工艺难点。随着尺寸扩大,MPCVD 生长过程中衬底中心与外围温度更难保持均匀,易造成沉积厚度及应力分布差异,并在后续切割、研磨、抛光等加工工序中引发崩坏、碎裂多晶金刚石晶界较多且应力分布不均,进一步增加表面平整化难度,大尺寸下粗糙度和平整度更难实现全域一致,边缘翘曲等问题也会增加后续键合难度。