> 数据图表谁知道半导体晶圆量测技术2026-10-2 量测：主要对晶圆电路的结构尺寸和材料特性进行定量描述，包括关键尺寸、套刻精度、薄膜厚度、刻蚀深度及表面形貌等参数。与检测设备主要判断“是否存在缺陷”不同，量测设备需要进一步回答（“尺寸是多少、偏差有多大”。按照测量对象，量测主要包括三类：1）关键尺寸（CD）量测，用于测量电路图形的线宽和孔径，判断光刻、刻蚀后的图形尺寸是否符合设计要求2）薄膜厚度量测，用于测量晶圆表面薄膜厚度，评估材料沉积结果及膜层均匀性3）套刻精度量测，用于比较上下层电路图形的位置偏差，判断不同工艺层之间的对准精度。通过持续监控上述参数，晶圆厂能够识别工艺偏差，并为其他环节的工艺控制提供数据支持。国盛证券科技传媒
