半导体量检测技术主要沿光学、电子束和 X 光三条路线发展，三类技术在测量速度、分辨率和适用场景方面各具优势。先进芯片结构尺寸不断缩小、材料参数日益复杂，单一测量设备难以同时满足速度和灵敏度要求，因此需要多种技术协同使用：1）光学检测技术基于光学原理，通过对光信号进行计算分析获得检测结果，具有速度快、精度高和无损伤等特点，广泛应用于晶圆制造环节2）电子束检测技术通过聚焦电子束扫描样片表面并形成图像，精度高但速度较慢，主要用于研发环节、关键区域抽检和尺寸量测，也可用于纳米级缺陷复查3）X 光量测利用 X 射线的透射和散射特性，对纳米结构进行无损分析，适用于高深宽比结构、特定金属成分及先进封装中 TSV 内部空隙等结构测量。
